采用高压脉冲激光沉积技术和溶液旋涂法在p-GaN衬底上先后制备了ZnO纳米线和CsPbI3纳米结构, 通过X射线衍射、扫描电子显微镜和光致发光研究了样品的结构、形貌和光学性能。利用该结构制备的发光二极管在正向电压下表现出较强的宽波段可见光发射, 电致发光光谱由440 nm的蓝光、500~650 nm的黄绿光和705 nm的红光组成。实验发现, 随着注入电流的增大, 器件的电致发光颜色从接近白光逐渐变蓝, 并且随着CsPbI3旋涂转速的降低, 器件的发光颜色也从蓝光逐渐变为黄光。最后, 利用能带模型详细讨论了复合结构的电致发光机理, 解释了器件发光光谱随注入电流和旋涂转速变化的原因。这种CsPbI3/ZnO纳米复合结构可以实现光谱色坐标从蓝光到白光的调节, 为单芯片白光发射器件的制备提供了方案。

金属卤化物钙钛矿CsPbBr3具有优异的光学性能, 是作为波长转化层在液晶显示中实现全彩显示的理想材料。为了实现高效的蓝光到绿光的光转换, 采用脉冲激光沉积技术(PLD)制备CsPbBr3微米级厚膜, 通过设定激光脉冲数实现膜厚的有效调控, 并借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱等测试手段对其形貌、晶体结构和光学性质进行分析。然后, 将CsPbBr3微米级厚膜沉积在发射波长为460 nm的蓝光发光二极管上, 并测试光转换性能。实验结果表明, 制备的CsPbBr3厚膜由(100)取向的柱状晶体组成, 且膜厚与激光脉冲数呈线性关系, 在膜厚为2.252 μm时, 在460 nm的蓝光激发下实现了完全、有效绿光的发射。此外, 在空气氛围(温度20 ℃, 湿度25%)下放置18 d, 光致发光强度无明显衰退。

ZnO/diamond-like carbon (DLC) thin films are deposited by pulsed laser deposition (PLD), and the room-temperature photoluminescence (PL) is investigated. Using a fluorescence spectrophotometer, we obtain the PL spectra of DLC/Si and ZnO/Si thin films deposited at different substrate temperatures. The ZnO/DLC thin films show a broadband emission almost containing the entire visible spectrum. The Gaussian fitting curves of PL spectra reveal that the visible emission of ZnO/DLC thin films consists of three peaks centered at 381 nm, 526 nm and 682 nm, which are attributed to the radiative recombination of ZnO and DLC, respectively. The Commission International de l,Eclairage (CIE) 1931 (x, y) chromaticity space of ZnO/DLC thin films indicates that the visible PL spectrum is very close to the standard white-light region.

为了研究氧化锌纳米棒的生长机理，先用脉冲激光沉积方法在玻璃衬底上制备一层氧化锌薄膜作为种子层，然后用水热法在种子层上生长氧化锌纳米棒，研究了不同反应时间对其结构、形貌及发光特性的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜测定样品的结构和形貌，用自组建的光致发光系统对样品的光致发光光谱进行了测量。结果表明，氧化锌纳米棒沿c轴高度取向并呈六角纤锌矿结构；随着生长时间的增加，氧化锌纳米棒结晶质量明显改善，纳米棒均匀、致密性和取向性均提高，样品的缺陷发光增强而激子发光减弱。